RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
77
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3147
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
KingSpec KingSpec 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905471-084.A01LF 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link