RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
77
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
7.5
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
4.4
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
56
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
7.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
4.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1598
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link