RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
77
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
42
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2737
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link