RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2594
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link