RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
72
77
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
72
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1593
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link