RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3180
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin 991556 (996556) 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link