RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
5300
Wokół strony 4.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
23400
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2935
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link