RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
77
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3141
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link