RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3963
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link