RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2712
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link