RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
77
Wokół strony -267% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3350
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link