RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
77
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
40
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2959
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link