RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
77
Wokół strony -250% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2708
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-RD 4GB
Crucial Technology BLS4G3N18AES4.16FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link