RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
77
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2853
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link