RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Porównaj
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
10.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3419
2585
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link