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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Compara
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Puntuación global
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Puntuación global
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
31
En 19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR5
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
11.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.1
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3419
2585
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
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