RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
36
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2963
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link