RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
23
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3152
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link