Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Różnice

  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 17000
    Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    30 left arrow 33
    Wokół strony -10% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    13.9 left arrow 12.0
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    33 left arrow 30
  • Prędkość odczytu, GB/s
    17.6 left arrow 17.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    12.0 left arrow 13.9
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2910 left arrow 3473
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania