RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
33
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
20
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3400
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link