RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
26
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3733
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link