RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
25
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3911
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link