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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
33
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
17.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.7
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
25
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
16.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3911
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
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