RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
38
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
38
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2509
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link