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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
38
Por volta de 13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
14.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
10.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
38
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
10.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2509
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
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Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
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