RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
30
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3728
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link