RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
37
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
17.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
37
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3529
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link