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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
17.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
15.0
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
37
读取速度,GB/s
17.6
17.5
写入速度,GB/s
12.0
15.0
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3529
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
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