RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
23
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3091
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link