RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
27
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3827
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link