RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
27
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2173
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link