RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 -22% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
27
读取速度,GB/s
17.6
14.8
写入速度,GB/s
12.0
10.2
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2173
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link