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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
13.2
18.7
写入速度,GB/s
8.4
14.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3659
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
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