RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
30
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3406
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link