RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3838
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link