RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
3899
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link