RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
36
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
2284
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link