RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
67
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
6.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
3.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
67
27
Prędkość odczytu, GB/s
6.2
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
3.4
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1076
3731
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link