RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB против Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
67
Около -148% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
6.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
3.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
67
27
Скорость чтения, Гб/сек
6.2
18.5
Скорость записи, Гб/сек
3.4
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1076
3731
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Jinyu 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link