RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Сравнить
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB против Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
36
Около -9% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
33
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
11.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2497
2284
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link