RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
36
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
3327
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link