RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
2464
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link