RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
2236
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link