RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
35
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
2676
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link