RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3593
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link