RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
83
Wokół strony 72% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
83
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
1752
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link