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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
83
Por volta de 72% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
7.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
13.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
83
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
7.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
1752
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
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