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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
83
Autour de 72% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
83
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
1752
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
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