RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
45
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
45
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2190
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link