RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3561
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link